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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SSM5H12TU(TE85L,F)

SSM5H12TU(TE85L,F)

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Numero de parte
SSM5H12TU(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
SSM5H12TU(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.9nC @ 4V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
123pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
UFV
Paquete / Caja
6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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