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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7

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Numero de parte
DMP26M7UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMP26M7UFG-7.pdf
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Numero de parte
DMP26M7UFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
156nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5940pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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