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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOY2N60

AOY2N60

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Numero de parte
AOY2N60
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOY2N60.pdf
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$0.25920

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Numero de parte
AOY2N60
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
295pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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