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IXTU02N50D

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Numero de parte
IXTU02N50D
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTU02N50D.pdf
Total:$2.81253
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Numero de parte
IXTU02N50D
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
120pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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