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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOTF3N100

AOTF3N100

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Numero de parte
AOTF3N100
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOTF3N100.pdf
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$0.88128

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Numero de parte
AOTF3N100
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
830pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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