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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

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Numero de parte
IXTQ200N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTQ200N10T.pdf
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$5.63000

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Numero de parte
IXTQ200N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
550W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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