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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

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Numero de parte
IXTA1R6N100D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTA1R6N100D2.pdf
Total:$1.95000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.95000

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Numero de parte
IXTA1R6N100D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
645pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (IXTA)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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