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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFP34N65X2M

IXFP34N65X2M

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Numero de parte
IXFP34N65X2M
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFP34N65X2M.pdf
Total:$4.59000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$4.59000

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Numero de parte
IXFP34N65X2M
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3230pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220 Isolated Tab
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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