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NVD5C460NLT4G

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Numero de parte
NVD5C460NLT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T6 40V DPAK EXPANSION AND
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.45584
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$0.45584

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Numero de parte
NVD5C460NLT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T6 40V DPAK EXPANSION AND
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18A (Ta), 73A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 60µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2100pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3W (Ta), 47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK (SINGLE GAUGE)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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