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NVTFS6H850NTAG

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Numero de parte
NVTFS6H850NTAG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.48989
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Numero de parte
NVTFS6H850NTAG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1140pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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