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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB80P03P4L07ATMA1

IPB80P03P4L07ATMA1

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Numero de parte
IPB80P03P4L07ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB80P03P4L07ATMA1.pdf
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Numero de parte
IPB80P03P4L07ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5700pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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