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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single R6018ANJTL

R6018ANJTL

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Numero de parte
R6018ANJTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.89800
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$2.89800

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Numero de parte
R6018ANJTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2050pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
LPTS
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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