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SI1072X-T1-GE3

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Numero de parte
SI1072X-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V SC89
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI1072X-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI1072X-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V SC89
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
93 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
280pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
236mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-89-6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666

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