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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SPW24N60C3FKSA1

SPW24N60C3FKSA1

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Numero de parte
SPW24N60C3FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SPW24N60C3FKSA1.pdf
Total:$7.70000
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$7.70000

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Numero de parte
SPW24N60C3FKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
24.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 1.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

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