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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIHG44N65EF-GE3

SIHG44N65EF-GE3

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Numero de parte
SIHG44N65EF-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIHG44N65EF-GE3.pdf
Total:$10.84000
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$10.84000

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Numero de parte
SIHG44N65EF-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
278nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5892pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3

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