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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

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Numero de parte
IXTH1N300P3HV
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTH1N300P3HV.pdf
Total:$24.60000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$24.60000

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Numero de parte
IXTH1N300P3HV
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
3000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
895pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247HV
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant

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