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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PMZ320UPEYL

PMZ320UPEYL

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Numero de parte
PMZ320UPEYL
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 30V SOT883
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PMZ320UPEYL.pdf
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Numero de parte
PMZ320UPEYL
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 30V SOT883
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
510 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
122pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DFN1006-3
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883

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