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SIHB30N60AEL-GE3

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Numero de parte
SIHB30N60AEL-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIHB30N60AEL-GE3.pdf
Total:$3.57520
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$3.57520

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Numero de parte
SIHB30N60AEL-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
28A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2565pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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