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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PMV45EN2R

PMV45EN2R

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Numero de parte
PMV45EN2R
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 30V SOT23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PMV45EN2R.pdf
Total:$0.11574
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$0.11574

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Numero de parte
PMV45EN2R
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 30V SOT23
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
209pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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