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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVMFS5C645NLAFT1G

NVMFS5C645NLAFT1G

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Numero de parte
NVMFS5C645NLAFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.59004
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$0.59004

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Numero de parte
NVMFS5C645NLAFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
22A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2200pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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