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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SPD03N60C3ATMA1

SPD03N60C3ATMA1

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Numero de parte
SPD03N60C3ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SPD03N60C3ATMA1.pdf
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Numero de parte
SPD03N60C3ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 135µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3-1
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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