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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFE180N20

IXFE180N20

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Numero de parte
IXFE180N20
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFE180N20.pdf
Total:$36.42700
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$36.42700

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Numero de parte
IXFE180N20
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
158A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC

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