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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTX8N150L

IXTX8N150L

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Numero de parte
IXTX8N150L
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTX8N150L.pdf
Total:$25.72100
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$25.72100

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Numero de parte
IXTX8N150L
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 4A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 15V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
700W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3

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