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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

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Numero de parte
IXTA1R4N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTA1R4N120P.pdf
Total:$3.24000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$3.24000

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Numero de parte
IXTA1R4N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
666pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (IXTA)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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