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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

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Numero de parte
SIA416DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIA416DJ-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIA416DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
83 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
295pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6

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