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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRLD014

IRLD014

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Numero de parte
IRLD014
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRLD014.pdf
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Numero de parte
IRLD014
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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