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BSG0811NDATMA1

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Numero de parte
BSG0811NDATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSG0811NDATMA1.pdf
Total:$1.03961
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$1.03961

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Numero de parte
BSG0811NDATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A, 41A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1100pF @ 12V
Potencia - max
2.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TISON-8

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