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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHD16N03LT,118

PHD16N03LT,118

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Numero de parte
PHD16N03LT,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PHD16N03LT,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
210pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
32.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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