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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPA80R460CEXKSA2

IPA80R460CEXKSA2

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Numero de parte
IPA80R460CEXKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPA80R460CEXKSA2.pdf
Total:$1.52864
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$1.52864

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Numero de parte
IPA80R460CEXKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1600pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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