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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RCD100N20TL

RCD100N20TL

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Numero de parte
RCD100N20TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RCD100N20TL.pdf
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Numero de parte
RCD100N20TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
CPT3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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