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SI8483DB-T2-E1

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Numero de parte
SI8483DB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI8483DB-T2-E1.pdf
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Numero de parte
SI8483DB-T2-E1
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1840pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja
6-UFBGA

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