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NDP6060L

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Numero de parte
NDP6060L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.71000
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Numero de parte
NDP6060L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 5V
Vgs (Max)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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