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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single HUF75617D3

HUF75617D3

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Numero de parte
HUF75617D3
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 16A TO-251AA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
HUF75617D3
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 16A TO-251AA
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 20V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
570pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
64W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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