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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single STH320N4F6-2

STH320N4F6-2

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Numero de parte
STH320N4F6-2
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
STH320N4F6-2.pdf
Total:$3.11400
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$3.11400

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Numero de parte
STH320N4F6-2
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
13800pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
H²PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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