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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RTQ025P02TR

RTQ025P02TR

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Numero de parte
RTQ025P02TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RTQ025P02TR.pdf
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Numero de parte
RTQ025P02TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
580pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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