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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310ZPBF

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Numero de parte
IRFSL4310ZPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 120A TO-262
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFSL4310ZPBF.pdf
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$3.25000

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Numero de parte
IRFSL4310ZPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 120A TO-262
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6860pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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