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FQT2P25TF

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Numero de parte
FQT2P25TF
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FQT2P25TF.pdf
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Numero de parte
FQT2P25TF
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
550mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 275mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
250pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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