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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIA810DJ-T1-GE3

SIA810DJ-T1-GE3

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Numero de parte
SIA810DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIA810DJ-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIA810DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 10V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete / Caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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