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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFR200N10P

IXFR200N10P

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Numero de parte
IXFR200N10P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFR200N10P.pdf
Total:$10.69300
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$10.69300

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Numero de parte
IXFR200N10P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
133A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7600pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
ISOPLUS247™

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