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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SSM5N16FUTE85LF

SSM5N16FUTE85LF

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Numero de parte
SSM5N16FUTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
SSM5N16FUTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
USV
Paquete / Caja
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

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