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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF200P223

IRF200P223

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Numero de parte
IRF200P223
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF200P223.pdf
Total:$10.78000
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$10.78000

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Numero de parte
IRF200P223
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5094pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3

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