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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDD3860

FDD3860

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Numero de parte
FDD3860
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.53130
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$0.53130

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Numero de parte
FDD3860
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1740pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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