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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIHF8N50D-E3

SIHF8N50D-E3

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Numero de parte
SIHF8N50D-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIHF8N50D-E3.pdf
Total:$1.84000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.84000

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Numero de parte
SIHF8N50D-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
527pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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