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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NDT02N40T1G

NDT02N40T1G

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Numero de parte
NDT02N40T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NDT02N40T1G.pdf
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Numero de parte
NDT02N40T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
400mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
121pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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