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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTY1N80

IXTY1N80

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Numero de parte
IXTY1N80
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTY1N80.pdf
Total:$2.00000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$2.00000

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Numero de parte
IXTY1N80
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
750mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
220pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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