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Hogar Productos Circuitos integrados (ICs) Memoria EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

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Numero de parte
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Fabricante
Micron Technology
Descripción
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D.pdf
Total:$9.89000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$9.89000

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Numero de parte
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Fabricante
Micron Technology
Descripción
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria
1Gb (64M x 16)
Frecuencia de reloj
533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
-
Tiempo de acceso
-
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
134-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
134-VFBGA (10x11.5)

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