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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F)

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Numero de parte
TPC6006-H(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TPC6006-H(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
251pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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