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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTMS4916NR2G

NTMS4916NR2G

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Numero de parte
NTMS4916NR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.32410
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Numero de parte
NTMS4916NR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1376pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
890mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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