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IPN50R650CEATMA1

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Numero de parte
IPN50R650CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPN50R650CEATMA1.pdf
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Numero de parte
IPN50R650CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
342pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
SOT-223-3

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