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BSC109N10NS3GATMA1

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Numero de parte
BSC109N10NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSC109N10NS3GATMA1.pdf
Total:$0.59339
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Numero de parte
BSC109N10NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
63A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 45µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2500pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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